1、负责国产化射频前端器件，如低噪放、功放、限幅管等器件的研发；2、负责射频前端器件的调测及研制报告等撰写；3、分析、定位射频前端产品出现的问题，进行产品可靠性等研究，提出解决方案和改进意见，并持续进行产品质量跟踪。任职要求： 1、硕士及以上学历，微波射频/电磁场，微电子、电子信息相关专业； 2、扎实的半导体器件知识，熟悉半导体（GaAs, CMOS等）工艺制程，物理版图以及ESD的要求； 3、熟悉并能独立完成基于GaAs/CMOS工艺的 PA、LNA芯片设计； 4、了解芯片从规格到量产的设计实现流程，具有成功的流片经验； 5、熟练使用ADS，Cadence等射频芯片设计工具，以及EM仿真软件（Momentum或者HFSS）； 6、熟练使用射频常用测试设备，网络分析仪，信号源，频谱仪。